CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT با مدل جدید تقریب تدریجی کانال

اعتبار موردنیاز PDF: ۱ | تعداد صفحات: ۴ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۲۰۸۴ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۸۷
کد COI مقاله: CMC09_176
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۱۵۴.۱۲ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۴ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله دارای ۴ صفحه در فرمت PDF قابل خریداری است. شما می توانید از طریق بخش روبرو فایل PDF این مقاله را با پرداخت اینترنتی ۳۰,۰۰۰ ریال بلافاصله دریافت فرمایید
قبل از اقدام به دریافت یا خرید مقاله، حتما به فرمت مقاله و تعداد صفحات مقاله دقت کامل را مبذول فرمایید.
علاوه بر خرید تک مقاله، می توانید با عضویت در سیویلیکا مقالات را به صورت اعتباری دریافت و ۲۰ تا ۳۰ درصد کمتر برای دریافت مقالات بپردازید. اعضای سیویلیکا می توانند صفحات تخصصی شخصی روی این مجموعه ایجاد نمایند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۴ صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT با مدل جدید تقریب تدریجی کانال

  سعیده محمدی - گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
    اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانس AlGaN/GaN ارائه کردیده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به صورت تدریجی تغییر می کند. با درنظر گرفتن این مدل، اثرات فاصله های بین درین- گیت (LGD) و بین گیت- سورس (LGS) بر روی مشخصه های ترابردی ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT بررسی شده است. نتایج بدست آمده از محاسبات نشان دهنده کارکرد خوب ترانزیستورها برای LGD بزرگ و LGS کوچک می باشد.

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-CMC09-CMC09_176.html
کد COI مقاله: CMC09_176

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
محمدی, سعیده و اصغر عسگری، ۱۳۸۷، تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT با مدل جدید تقریب تدریجی کانال، نهمین کنفرانس ماده چگال، اهواز، انجمن فیزیک ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، https://www.civilica.com/Paper-CMC09-CMC09_176.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (محمدی, سعیده و اصغر عسگری، ۱۳۸۷)
برای بار دوم به بعد: (محمدی و عسگری، ۱۳۸۷)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: ۷۱۴۴
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

شبکه تبلیغات علمی کشور

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.