بررسی ترابرد الکتریکی در سیلیکان متخلخل
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 966
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_227
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
مطالعه ای بر روی ترابرد الکتریکی لایه های سیلیکان متخلخل با استفاده از مکانیزم پول-فرنکل انجام شد. به همین منظور لایه های سیلیکان متخلخل در اثر فرایند خوردگی آندی زیر لایه های سیلیکان نوع (100) p آماده شدند. سپس ویژگی های جریان-ولتاژ ساختار فلز-سیلیکان متخلخل-سیلیکان نوع p مورد مطالعه قرار داده شد. منحنی های اندازه گیری شده جریان-ولتاژ، رفتار یکسو کننده آهسته ای را در بازهV 6-6 نشان دادند. با توجه به ضخامت لایه های به دست آمده که با استفاده از روش وزن سنجی مشخص شدند و در نظر گرفتن مکانیزم پول-فرنکل، انتظار منحنی متقارنی را داشتیم. عدم تقارن به دست آمده را مورد بررسی قرار دادیم و علت آن را به سهم بیشتر اتصال در مقایسه با سهم مقاومت حجم لایه PS، برای محدود کردن جریان در دمای اتاق نسبت به دماهای پایین تراز دمای اتاق نسبت دادیم. به طور کلی، مشاهده رسانندگی افزایش یافته با میدان الکتریکی، حاکم بودن مکانیزم پول-فرنکل را تایید می کند.
نویسندگان
زهرا سادات حسینی
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :