Competition of Contact Resistance and Ferroelectric Gate Oxide on the Performance of Double-Gate MoS2 Monolayer FET
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی فناوری های نوین در علوم
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 372
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMTS02_119
تاریخ نمایه سازی: 29 تیر 1398
چکیده مقاله:
In this work, A Ferroelectric-FET (Fe-FET) with two dimensional MoS2 as the channel material is explored. Fe-FET with contact resistance is compared with no contact resistance. Top of the barrier model along with ferroelectric model is used to investigate performance of Fe-FET. Contact resistance can highly affect current-voltage characteristic. FET with contact resistance needs higher voltage for saturation. Ferroelectric with negative capacitance increases gate capacitance and decreases sub-threshold swing. It is shown sub-threshold swing can be tuned with ferroelectric thickness.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Shoeib Babaee Touski
Department of Electrical Engineering, Hamedan University of Technology, Hamedan ۶۵۱۵۵, Iran
Manouchehr Hosseini
Department of Electrical Engineering, Bu-Ali Sina University, Hamedan, Iran.