Evaluation of the Alloy Scattering in Limiting the Hole Mobility of Si/SiGe/Si Based Fileld Effect Nanotransistors
محل انتشار: سومین کنفرانس نانوساختارها
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,103
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS03_267
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388
چکیده مقاله:
This paper explains the theoretical evaluation of alloy disorders in two dimensional hole gas confined in the strained p-Si/SiGe/Si structures which has been detemined via a self consistence approach. By comparing the Hall mobility measured at 4.2K with calculated results we deduce that the alloy scattering is the most dominant mechanism in limiting hole mobility of SiGe based nanotransistors. The value of dE = 0.6± 0.1eV has been estimated for alloy potential fluctuations.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M.A Sadeghhzadeh
Department of Physics, Yazd University, Yazd, ۸۹۱۹۵-۷۴۱, Iran
S.M Azizi
Department of Physics, Yazd University, Yazd, ۸۹۱۹۵-۷۴۱, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :