Silicon nano-grass and nanowires on silicon substrates using high precision reactive ion etching

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,044

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CNS03_286

تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388

چکیده مقاله:

We report the evolution of nano-grass and nano-wires on silicon substrates using a novel high precision hydrogenation-assisted reactive ion etching (RIE). The formation of Si nano-grass and nano-wires in desired locations and features is possible using photolithography combined with a sequential chromium deposition and RIE removal of the silicon surface. The wetting angle of the processed silicon has been measured and compared with a bare silicon surface. It has been observed that the inclusion of the nano-grass at the surface of silicon converts it into a hydrophilic material which could be used for liquid-based acceleration and inclination sensors. Also the treated surface has been examined with oil contamination further evidencing its wetting ability.

کلیدواژه ها:

“silicon nano grass” ، “Black silicon” ، “Hyrogen assisted Reactive Ion Etching” ، “Wetting angle”

نویسندگان

M.H Mehran

Thin Film and Nanoelectronic lab, School of Electrical and Computer Eng, University of Tehran, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :