تحلیل وطراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی CMOS باجبرانسازی منحنی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 654
فایل این مقاله در 21 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_421
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
مدارمرجع ولتاژ CMOS باجبران سازی منحنی مرتبه بالا ازدما دراین مقاله پیشنهاد شدها ست ساختارمدار فقط ازترانزیستور های CMOS که غالبا درناحیه زیراستانه بایاس شده اند تشکیل شده است و فاقد مقاومت و ترانزیستورهای BJT است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ابراهیم فرشیدی
دانشیارعضو هیئت علمی گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه شهیدچمران اهواز
عادل بغلانی
کارشناسی ارشدالکترونیک دانشگاه شهیدچمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :