مدل تحلیلی دوبعدی پتانسیل کانال درنانوماسفت های گیت احاطه شده بااستفاده ازتئوری مقیاس درحضوربارهای متحرک

دراین مقاله روشی برای محاسبه پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور باگیت احاطه شده دردوبعد و درحضوربارهای متحرک بااستفاده ازتئوری مقیاس ارایه شده است برخلاف روشهای موجود درتئوری مقیاس که باردرون کانال را ثابت درنظر میگیرند و فقط برای شرایط کار زیراستانه یاالایش های شدید کانال صادق هستند درروش ارایه شده باردرون کانال متحرک است و باردرطرف دوم معادله پواسون دیگر ثابت نیست ازاین رو برای شرایط کاری مختلف صادق است دراین حالت پتانسیل کانال بصورت مجموع دومولفه کانال بلند یک بعدی و کانال کوتاه دوبعدی درنظر گرفته میشود مولفه کانال بلند باحل معادله پواسون یک بعدی درحضوربارمتحرک و موفه کانال بلند ازمعادله باقی مانده بااستفاده ازتئوری مقیاس بدست می آید همچنین برخلاف روشهای موجود که پتانسیل دوبعدی را بصورت سریهای نامتناهی بسل ارایه می کنند روش پیشنهادی رابطه بسته ای رابرای پتانسیل دوبعدی کانال ارایه میکند که امکان بررسی تاثیر پارامترهای فیزیکی را برروی ویژگیهای الکتریکی ترانزیستور دراختیار میگذارد نتایج شبیه سازی درستی روش پیشنهادی را نشان میدهد

کلیدواژه ها:

پتانسیل الکتریکی ، ماسفت باگیت احاطه شده ، معادله پواسون