طراحی و بهینه سازی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی به منظور استفاده درکاربردهای آنالوگ

یکی از مواردی که باعث شده استفاده از نانولوله کربنی به نتایج چشمگیری منجر شود ، ترانزیستورهای نانولوله کربنی است. کارهای مختلفی به منظور معرفی ساختارهای ترانزیستوری مبتنی بر نانولوله کربنی ارائه گردیده، اما نکته مهم آن است که تقریبا تمام این پژوهشها بر روی بهینه سازی این افزاره در کاربردهای دیجتال متمرکز گردیده است و کمتر به ارائه ساختار بهینه برای کاربردهای آنالوگ پرداخته شده است. لذا ارائه و بررسی مشخصات یک ترانزیستور مطلوب در کاربردهای آنالوگ جهت استفاده در این نوع کاربردها، موضوع این مقاله است. این تحقیق بر روی ترانزیستور 1 LDDS-CNTFET و ساختار بهینه یافته آن که Double Workfunction Gate and lightly-Doped Drain and Source CNTFET (DWGLDDS-CNTFET) نامیده شده، متمرکز گردیده است. در این مقاله ابتدا ساختار اصلاح شده DWGLDDS-CNTFET معرفی میشود که ، تاخیر و PDP را بهبود می بخشد و سپس اثر پارامترهای هندسی و مشخصات مواد بکاررفته بر روی این ویژگیها در این دو ساختار بررسی، تحلیل و با یکدیگر مقایسه خواهد شد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانولوله کربنی ، کاربردهای آنالوگ ، نانولوله کربنی