شبیه سازی پاسخ گذرای خط و بار در رگولاتور افت ولتاژ کم ( Dropout) در تکنولوژی 90 nm

یک مدل طراحی رگولاتور ، با استفاده از تکنیک بایاس دینامیکی مورد بررسی و شبیه سازی قرار می گیرد . مدار افزایش جریان بایاس دینامیکی ، شامل سه قسمت آشکارساز ، تقویت کننده و مدار افزایش بایاس خواهد بود. رگولاتور فوق با استفاده از پروسه CMOS 90 nm ، ارائه می شود ونتایج بدست آمده با دیگر فناوری های موجود مورد بررسی قرار می گیرد. کارکرد دیاگرام بدین صورت در نظر گرفته خواهد شد ، به محض اینکه کوچکترین تغییری در ولتاژ خروجی مشاهده گردد ، این تغییرات از طریق گره های Vnو Vp ، به مدار آشکارساز منتقل خواهد شد . مدار آشکارساز این تغییرات را حس می کند و با توجه به نوع آشکارسازی ، خروجی خودش را در وضعیت ولتاژ تغذیه یا زمین نگه می دارد و آن را به ورودی مدار تقویت کننده منتقل خواهد کرد . مدار تقویت کننده ، بصورت یک معکوس کننده عمل خواهد کرد و خروجی آشکارساز را بصورت معکوس در خروجی خودش ظاهر می کند . خروجی مدار تقویت کننده ، به ورودی مدار افزایش بایاس منتقل می شود ، این مدار با افزایش جریان در یک لحظه کوتاه ، باعث افزایش جریان رگولاتور شده و تغییرات ولتاژ خروجی رگولاتور را ، به حالت نرمال بر می گرداند . در رگولاتور مورد بحث ، توان مصرفی را ، با استفاده از روش جریان بایاس دینامیکی تا .5mw کاهش دادیم و تا اندازه ای ، پاسخ گذرای خط و بار را بهبود بخشیدیم تکنیک افزایش جریان بایاس دینامیکی در طراحی LDO ،به طور موثر پاسخ انتقال خطی و بار را بهبود می بخشد و باعث می شود ، یک ولتاژ دقیق و موثر در خروجی رگولاتور ، بوجود بیاید و در کاربردهای قابل حمل ، که احتیاج به یک تغذیه دقیق و بدون نویز دارند ، بسیار موثر خواهد بود .

کلیدواژه ها:

افت ولتاژ کم (LDO) ، رگولاتور ، بایاس دینامیکی ، آشکارساز سرعت