کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCK در مدارات VLSI
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 886
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMPUTER02_009
تاریخ نمایه سازی: 2 تیر 1395
چکیده مقاله:
با ورود چرخه ساخت تراشه های مدار مجتمع به دوره طراحی زیرمیکرون، تأثیر اثرات الکتریکی نظیر نویز هم شنوایی و مهاجرت الکترون در کارایی سیستم های الکتریکی بسیار زیاد شده است. نویز هم شنوایی به عنوان یکی از مهمترین مسائل در طراحی های 0/18 میکرون با پایین تر از آن به شمار رفته و می تواند باعث تغییر در تأخیر سیگنال ها و مقدار منطقی یک سیگنال شده و به سوء عملکرد مدار منجر گردد. در این مقاله به معرفی برخی از راه های کاهش هم شنوایی در شبکه های RLCK در مدارات VLSI پرداخته و در ادامه بر اساس شبیه سازی مدار RLCK و استفاده از ترانزیستور ماسفت بین دو اتصال با استفاده از HSPICE نشان دهیم که هم شنوایی کاهش می یابد که در نهایت موجب افزایش کیفیت عملکرد مدار می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
الهه شعله ور شکوه
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت
بهنام قوامی
دکتری، دانشگاه شهید باهنرکرهاى
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :