SCEs Investigation of Tri-Gate SOI FinFET in Different Channel Lengthes
محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 483
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CRSTCONF01_108
تاریخ نمایه سازی: 27 اسفند 1394
چکیده مقاله:
compact scaling length for Tri-gate SOI FinFET is presented based on a 3-D simulation. SCEs of FinFETs can be controlled by changing the gate length.Changing channel length is between 10 to 100 nm. output characteristics, transfer characteristic, threshold voltage, subthreshold slope and drain induced barrier lowering (DIBL), gm, ION/IOFF ratio, ro are investigated
کلیدواژه ها:
نویسندگان
B Fakhr
Department of Electrical Engineering, Neyshabur Branch, Islamic Azad Universit, Neyshabur, Iran
S.E Hosseini
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad,Mashhad, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :