حذف فلزات سنگین با استفاده از غشای نانوکامپوزیت پلی اترسولفون و بوهمیت آمین دار شده

در این مقاله، غشای نانوکامپوزیتی بر پایه پلی اترسولفون به روش وارونگی فاز و با افزودن نانوذرات بوهمیت آمین دار شده ساخته شدهاست. هدف از این مطالعه ارزیابی تاثیر افزودن نانوذرات بوهمیت آمین دار شده به عنوان یک نانوپرکن جدید در ساخت غشا نانوکامپوزیتپلی اترسولفون جهت حذف یون های فلزات سنگین می باشد. نتایج نشان داد که وجود نانوذرات بوهمیت آمین دار شده در غشا پلی اترسولفونی سبب افزایش میزان حذف و بهبود شار برای یون های فلزات سنگین شامل نیکل، سرب، روی و مس نسبت به غشا پلی اترسولفونیخالص گشته است. با افزایش درصد نانوذرات در غشا به دلیل کلوخه شدن نانوذرات کاهش شار و افزایش درصد حذف مشاهده گردید.به طورکلی غشا شامل 5 / 0 درصد وزنی نانوذره، شار و حذف بهینه را برای همه نمونه ها دارد. وجود گروه های آمینی بر روی سطح نانوذراتبوهمیت، در کنار محدودیت اندازه حفره ها، سبب وقوع شار خروجی مناسب و حذف بالاتر می شود. غشا مذکور در حالت 5 / 0 درصد ازنانوذره بالاترین میزان حذف را در کنار شار بهینه برای فلز مس دارد که این بیانگر کارایی بالای این غشا برای حذف مس نسبت به سایرنمونه ها است.

کلیدواژه ها:

غشا ، پلی اترسولفون ، نانوکامپوزیت ، بوهمیت ، فلز سنگین