بررسی اثرات کوانتومی در ساخت ترانزیستور حالت جامد تونل زنی رزونانسی

در این مقاله به بررسی ترانزیستورهای در مقیاس نانو برای استفاده در کامپیوتر های با مدار مجتمع الکترونیکی بسیار فشرده میپردازیم. به منظور کوچک سازی بیشتر اجزای مدار به مقیاس نانو، شاید حتی مقیاس مولکولی، محققان چندین جایگزین برایترانزیستور در مدار فوق فشرده، پیشنهاد داده اند. این وسایل الکترونیک نانومقیاس شبیه ترانزیستورهای حال حاضر، هم به عنوان سوئیچ و هم به عنوان تقویت کننده عمل می کنند. اما، بر خلاف ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی، که بر اساس حرکت توده الکترون در ماده حجیم عمل می کند، وسیله جدید، از پدیده های مکانیک کوانتومی سود می برد که در مقیاس نانو اتفاق می افتد. در این مقالهابتدا ترانزیستورهای معمول مورد بررسی قرار می گیرد و محدودیت های آن و مشکلات کوچکترسازی آنها مطرح می شود و برای حل این مشکل ترانزیستورهای حالت جامد که از اثرات کوانتومی در مقیاس نانو بهره می گیرند، پیشنهاد می شود و از این میان، نمونه ترانزیستور تونل زنی رزونانسی بحث خواهد شد

کلیدواژه ها:

نانو مقیاس ، اثر کوانتومی ، RTD ، RTT