طراحی مرجع باند گپ ولتاژ پایین با اصلاح انحنا مرتبه دوم
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,354
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM01_043
تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393
چکیده مقاله:
دراین تحقیق بااستفاده ازجریان زیرااستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس البته با درنظرگرفتن بتاترانزیستوراتصال دوقطبی مداری طراحی شد که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم می باشد هدف این قماله توسعه مرجع ولتاژ باندگپ باترجیحاا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری درولتاژ مرجع می باشد بااستفاده ازنرم افزار HSPICE و شبیه سازی مدارپیشنهادی نواحی عملکرد مناسب ترانزیستورها تعیین شد دراین پژوهش ضریب دمایی 2.2137PPM/C ونسبت عدم پذیرش منبع تغذیه 185.8-دسی بل درمحدوده دمایی 0تا83 درجه سانتیگراد بدست آمدهاست
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میترا دیبا
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات شاهرود
محمد دانایی
استادیار دانشگاه سمنان
مجتبی احمدیه خانه سر
استادیار دانشگاه سمنان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :