مبدل سطح ولتاژ توان پایین با کاربرد در شرایط ولتاژی زیرآستانه و فرکانس بالا
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 595
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DMECONF01_099
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مبدل سطح ولتاژ که قابلیت تبدیل سطوح ولتاژ بسیار پایین ورودی به سطح بالاتر با کاربرد در فرکانسهای بالا ، ارائه شده است. به منظور جلوگیری از اتلاف توان استاتیک ، در ساختار پیشنهادی از درایو جریان بگونه ای استفاده شده که در طی انتقال تنها زمانی که در آن سطح منطق سیگنال ورودی با سطح منطق خروجی متناظر نمی باشد، روشن است. عملکرد ساختار پیشنهادی تحلیل و بررسی شده و نتایج شبیه سازی پیشنهادی در تکنولوژی-CMOS- nm90 ن مایش داده شده است که نشان می دهد مدار در فرکانس های بالا به خوبی عمل می کند. مدار پیشنهادی p1 می تواند در فرکانسهای بالاتر از GHz ۱ تا فرکانس GHZ 3.3 به خوبی عمل کند. عملیات تبدیل در فرکانس GHZ2.9 در ولتاژVDD_H=1.0v بدون خطا انجام شده است. در فرکانس بیش از MHz 100 مشاهده می شود بسیاری از مدارات عملکرد خود را از دست می دهند. مدار پیشنهادی p1 می تواند به راحتی عملیات تبدیل در فرکانس GHZ 2.9 در ولتاژ VDD_H=1.0v بدون خطا انجام دهد
کلیدواژه ها:
شیفت سطح ولتاژ – مبدل چند سطح – مبدل ولتاژ
نویسندگان
وحیدرضا صبوری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران
نجمه چراغی شیرازی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :