مدلسازی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در اسیلاتور آشوب
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 484
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD01_003
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
قطعات ممریستیو معروف به عناصر حافظه دار شامل مقاومت های حافظه دار، خازن حافظه دار و سلف حافظه داردر مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد. در این مقاله مدل فیزیکی سلف حافظه دار از روی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار در نرم افزار (ADS(Advance Design System طراحی و شبیه سازی شده و در نهایت کاربرد آن در یک نمونه اسیلاتور ساز آشوب مبتنی بر سلف حافظه دار بررسی و شبیه سازی شده است.
نویسندگان
فرید ستوده
استادیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک، اراک
مسعود دوستی
دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات تهران ، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :