شبیه سازی پارامترهای موثر بر عملکرد دیود PIN سیلیکونی به منظور افزایش ولتاژ شکست

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 617

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECICONFE04_014

تاریخ نمایه سازی: 28 بهمن 1398

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختاری متشکل از یک پیوند PIN سیلیکونی با ولتاژ شکست بالا و جریان تاریکی پایین با وجود حلقه ی محافظ شبیه سازی شده است. به همین منظور برای یافتن ساختار بهینه، تاثیر پارامترهای موثر بر ولتاژ شکست و جریان تاریکی قطعه با استفاده از نرم افزار سیلواکو شبیه سازی و بررسی شده است. ضخامت ناحیه ذاتی، محل قرارگیری و تعداد حلقه های محافظ، ضخامت و فاصله ی بین حلقه های محافظ از جمله پارامترهای موثر بر مقدار ولتاژ شکست و جریان تاریکی قطعه آشکارساز می باشد. با قرار دادن دو حلقه ی محافظ در اطراف ناحیه فعال نشان داده شده است که میدان الکتریکی در لبه ناحیه فعال بین حلقه های محافظ توزیع می شود که منجر به افزایش ولتاژ شکست به میزان 292.62 ولت نسبت به قطعه بدون حلقه ی محافظ می شود. همچنین نشان داده ایم با وجود حلقه-های محافظ جریان تاریکی بر واحد سطح آند قطعه برابر با 0.033 nA/cm2 می باشد

نویسندگان

فرزانه رضایی

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

فاطمه دهقان نیری

استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

فائزه قنبری

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر