کاهش توان در SRAM سه ارزشی با استفاده از گرافن و تکنیک SLEEP

روند رو به رشد سیستم های قابل حمل، طراحان حاظفه های SRAM را به سمت تکنولوژی های نوین برای کاهش سطح مصرفی و توان تراشه کشانده است. در مقاله حاضر برای کاهش توان نشتی سلول حافظه SRAM استفاه از گرافن و تکنیک را پیشنهاد داده و نتایج حاصل از شبیه سازی را با سلول های سه ارزشی متداول دیگر مقایسه کرده ایم. برای مقایسه توان، تاخیر و حاصل ضرب توان در تاخیر مدار پیشنهادی و سلول های متداول از نرم افزار Hspice بهره برده ایم. در تکنیک sleep می توان با خاموش کردن منبع ولتاژ در وضعیت آماده به کار توان نشتی را به شدت کاهش داد، این روش با بکارگیری یک ترانزیستور P و یک ترانزیستور n به صورت سری با ترانزیستورهای بلوک منطقی شکل می گیرد. در واقع این دو ترانزیستور یک پایه مجازی و یک منبع ولتاژ مجازی برای مدار به وجود می آورد که باعث بهبود مدار خواهد شد. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد سلول پیشنهادی دارای توان مصرفی کمتر در عملیات خواندن و نوشتن است. نتایج شبیه سازی همچنین حاکی از آن است که توان نشتی سلول پیشنهادی در وضعیت آماده به کار، کمتر از سلول های متداول است.

کلیدواژه ها:

تکنیک sleep ، مدار سه ارزشی ، گرافن ، حافظه استاتیک ، کاهش توان