طراحی و ارزیابی مدارات منطقی توان پایین براساس تکنیک ورودی گیت نفوذی

پیشرفت تکنولوژی و گسترش کاربردهای موبایل، مصرف توان یکی از محدودیت های اساسی برای ریز پردازنده ها با کارایی بالا و کارایی متوسط بوده و تبدیل به یک موضوع اصلی در طراحی مدارات دیجیتال VLSI شده است. با وجود آنکه منطق CMOS مهمترین شیوه طراحی در طول سه دهه گذشته بوده است، ولی تلاش های بسیاری برای ارایه جایگزینی بهتر از سه جنبه توان مصرفی کمتر، سطح اشغال شده کمتر و کارایی بالاتر انجام شده است. در این مقاله، پس از بررسی تکنیک های مختلف پیاده سازی گیت های منطقی، چندین گیت پایه با استفاده از تکنیک ورودی نفوذی گیت و همچنین به منظور نمایش اثربه کارگیری تکنولوژی CNFET به جای CMOS، گیت ها با استفاده از یک مدل CNFET در نرم افزار Hspice شبیه سازی شده اند که توسط دانشگاه استنفورد ارایه شده است. در این مقاله با اعمال تغییراتی در ساختار تکنیک GDI، تکنینیک GDI اصلاح شده به کار رفته است. جهت مقایسه عملکرد این تکنیک پیشنهادی، گیت ها در تکنولوژی 32CMOS نانومتر و همچنین با تکنیک GDI معمولی نیز شبیه سازی شده اند. به منظور بررسی تاثیر مدارات منطقی پایه در مدارات ترکیبی، مدار یک جمع کننده با استفاده از گیت های پایه و براساس روش پیشنهادی، با تکنولوژی CNFET طراحی شده است.

کلیدواژه ها:

ورودی نفوذی گیت ، CMOS ، CNFET ، ترانزیستور نانولوله کربنی