بررسی مقاومت بدنه در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده

در این مقاله مدل مداری ساختار ترانزیستور I-gate مورد بررسی قرارگرفته است.پارامترهای مدل مورد بررسی با استفاده از نتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر تنظیم شده است. اثر تغییرات غلظت نوار P در اتصال بدنه I-gate برروی ساختار بررسی گردید ونمودارهای مربوطه رسم گردید.با توجه به دوپینگ های مختلف ساختار می توان نتیجه گرفت که نوار میانی استفاده شده در این ساختار دوپینگش از یک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد.زیرا استفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه ودر نتیجه ولتاژ بدنه می شود.میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار 1e18 cm3 است

کلیدواژه ها:

ماسفت سیلیکون بر روی عایق ، اتصال بدنه I-gate ، مقاومت بدنه