مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,401

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELECA01_029

تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394

چکیده مقاله:

امروزه با پیشرفت در تکنولوژی CMOS تمایل بی سابقه به کوچک کردن ترانزیستور ها، موجب شده است مهندسین و محققان که بتوانند ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون را به کمتر از دو نانومتر برسانند. اما این تکنولوژی، مشکلاتی مانند افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک را به همراه داشته است]1[.امروزه مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیرآلی که شامل اکسید های فلزی هستند ،به علت جریان نشتی پایین و ثابت دی الکتریک بالا توانسته اند جایگزین مناسبی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی باشند]4-2.[ اخیرا مطالعات و تحقیقات کثیری درباره لایه های نانوساختار سیلیکونی صورت گرفته است در این مقاله تاکید ما بر مواد پایه کربنی است و ترانزیستورهای لایه نازک آلی را مورد بررسی قرار می دهیم در ساختار ترانزیستور مورد نظر ،از اتصالات فلزی شامل اتصالات گیت، درین و سورس با استفاده از لایه نشانی فلزاتی مانند آلومینیوم، طلا و یا نقره ایجاد می گردند که این لایه ها به صورت متوسط ضخامتی در حدود 30 nm دارند.

کلیدواژه ها:

OFET ، OLED ، مواد نیمه هادی آلی ، نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیر آلی ، سلول های خورشیدی

نویسندگان

مهسا صداقت

دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران

آیت زنده طالشمکائیل

دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • ا ولین هما یش منطقه ا ی برق و فنا ...
  • Sze, S. Semiconductor Devices :Physics and Techno log(2"ed) _ new ...
  • Almaral, J., et al. Red colored transparent PMMA- SiOahybride films. ...
  • Gang, N., et al. Preparation of Ps/SiO nano nitroxide ...
  • mediated radical poly merization, Chinese Science Bulletin 51: 1644-1651, 2006. ...
  • Fidalgo, A., Ilharco, L. The defect structure of sol- gel ...
  • Bahari, A., et al.Growth of ultrathin silicon nitride on Si(111) ...
  • Bahari, A., et al. Growth of a stacked Silicon Nitride/Silicon ...
  • Giri, P.R. Atom capture by nanotube and scaling anomaly, Int. ...
  • Bao, Z. and J. Locklin, Organic field-effect transistors. Vol. 128. ...
  • _ emiconductos _ 2005: Wiley-VCH. ...
  • Gregor, M. and G. Tibor, Advances in Polymer S cience-Organic ...
  • sigma-aldrich , organic electronic materials, 2 :3 , 2007 . ...
  • Paul L. McEuen, Michael S. Fuhrer and Hongkun Park, IEEE ...
  • Bae HorngChen, Jeng Hua Wei, Po Yuan Lo, Hung Hsiang ...
  • Ji YongPark, N anotechnology _ 18:095202, 2007. ...
  • نمایش کامل مراجع