CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی

اعتبار موردنیاز PDF: ۱ WORD: ۲ | تعداد صفحات: ۵ | تعداد نمایش خلاصه: ۴۹۳ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۴
کد COI مقاله: ELECA01_029
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۲۸۹.۸ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۵ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)
محتوای کامل این مقاله با فرمت WORD هم قابل دریافت می باشد.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل PDF یا WORD مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۵ صفحه است به صورت فایل PDF و یا WORD در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی

  مهسا صداقت - دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران
  آیت زنده طالشمکائیل - دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران

چکیده مقاله:

امروزه با پیشرفت در تکنولوژی CMOS تمایل بی سابقه به کوچک کردن ترانزیستور ها، موجب شده است مهندسین و محققان که بتوانند ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون را به کمتر از دو نانومتر برسانند. اما این تکنولوژی، مشکلاتی مانند افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک را به همراه داشته است]1[.امروزه مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیرآلی که شامل اکسید های فلزی هستند ،به علت جریان نشتی پایین و ثابت دی الکتریک بالا توانسته اند جایگزین مناسبی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی باشند]4-2.[ اخیرا مطالعات و تحقیقات کثیری درباره لایه های نانوساختار سیلیکونی صورت گرفته است در این مقاله تاکید ما بر مواد پایه کربنی است و ترانزیستورهای لایه نازک آلی را مورد بررسی قرار می دهیم در ساختار ترانزیستور مورد نظر ،از اتصالات فلزی شامل اتصالات گیت، درین و سورس با استفاده از لایه نشانی فلزاتی مانند آلومینیوم، طلا و یا نقره ایجاد می گردند که این لایه ها به صورت متوسط ضخامتی در حدود 30 nm دارند.

کلیدواژه‌ها:

OFET ،OLED ، مواد نیمه هادی آلی ، نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیر آلی، سلول های خورشیدی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ELECA01-ELECA01_029.html
کد COI مقاله: ELECA01_029

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
صداقت, مهسا و آیت زنده طالشمکائیل، ۱۳۹۴، مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی، اولین همایش منطقه ای برق و فناوریهای نوین، اردبیل، دانشکده فنی و حرفه ای سما اردبیل، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، https://www.civilica.com/Paper-ELECA01-ELECA01_029.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (صداقت, مهسا و آیت زنده طالشمکائیل، ۱۳۹۴)
برای بار دوم به بعد: (صداقت و زنده طالشمکائیل، ۱۳۹۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Sze, S. Semiconductor Devices :Physics and Techno log(2"ed) _ new ...
  • Almaral, J., et al. Red colored transparent PMMA- SiOahybride films. ...
  • Gang, N., et al. Preparation of Ps/SiO nano nitroxide ...
  • mediated radical poly merization, Chinese Science Bulletin 51: 1644-1651, 2006. ...
  • Fidalgo, A., Ilharco, L. The defect structure of sol- gel ...
  • Bahari, A., et al.Growth of ultrathin silicon nitride on Si(111) ...
  • Bahari, A., et al. Growth of a stacked Silicon Nitride/Silicon ...
  • Giri, P.R. Atom capture by nanotube and scaling anomaly, Int. ...
  • Bao, Z. and J. Locklin, Organic field-effect transistors. Vol. 128. ...
  • Gregor, M. and G. Tibor, Advances in Polymer S cience-Organic ...
  • sigma-aldrich , organic electronic materials, 2 :3 , 2007 . ...
  • ا ولین هما یش منطقه ا ی برق و فنا ... (مقاله کنفرانسی)
  • Paul L. McEuen, Michael S. Fuhrer and Hongkun Park, IEEE ...
  • Bae HorngChen, Jeng Hua Wei, Po Yuan Lo, Hung Hsiang ...
  • Ji YongPark, N anotechnology _ 18:095202, 2007. ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: ۴۲۲۲
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.