توسعه مدارات کلید زنی مبتنی برVLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای برق و فناوریهای نوین
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 915
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECA01_037
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله توسعه سلول های VLT(نوع ولتاژ بالابرنده) بررسی شده است . مدار پیشنهادی ، به منظور بهبود افزایش توانایی های متداول مبدل های DC-DC نسبت به مدارات قبلی طراحی شده است. در این مقاله از سه سلول سوئیچ شونده SL(بالابرنده) استفاده شده است. هر دو حالت CCM و DCM در این مدار مورد بحث قرار گرفته است. نتایج تئوری توسط شبیه سازی اثبات شده است
کلیدواژه ها:
VLT و DCM (مد هدایت گسسته)و CCM (مد هدایت پیوسته)و SL
نویسندگان
مرتضی دلسوار
دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
علی پیردلخوش
دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
مهدی سلیمی
دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :