ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 485
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0402
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ما به ارائه یک مدل جدید، جهت شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله می پردازیم. به دلیل اینکه خازن های داخلی افزاره، بسیار مهم بوده و تاثیر زیادی بر مشخصه های جریانی آن خواهد گذاشت. در این بررسی ابتدا خازن های ذاتی و پارازیتی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی چند کاناله را، با در نظر گرفتن اثرات پوششی بین کانال های مجاور نشان خواهیم داد. سپس با معرفی شبیه ساز بالستیک برای ترانزیستور اثر میدانی با هندسه مشخص، به ارائه مدل جدید شبیه سازی برای ترانزیستورهای چند کاناله، با در نظر گرفتن کامل خازن های ساختار آن، خواهیم پرداخت و مشخصه جریانی افزاره را بدست خواهیم آورد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مینا احمدی مرجقل
کارشناس ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت
سید علی صدیق ضیابری
دکتری برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :