اثرات نویز تلگرافی تصادفی (RTN) بر مدارهای دیجیتال

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 830

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0807

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

چکیده مقاله:

یکی از مشکلات مهم در مدارهای دیجیتال، اثرات نویز تلگرافی تصادفی است. درراستای حلاین مشکل، از بهترین پیشنهادات می توان به نتایج آقای مولانگلو اشاره کرد. در این مقاله علمی تزویجی، این تحقیق مورد بررسی و نتایج آن مورد ارزیابی قرار گرفته است. نویز تلگرافی تصادفی (RTN) از مهمترین منابع تغییرات دینامیک در MOSFET ( ترانزیستورهای با اثر میدانی از جنس اکسیدهای فلزی ) با مقیاس فوق العاده (ultrascale) می باشد. در این مقاله اثرات تله ای ac RTN در مدارهای دیجیتال و اثرات آن ها بر عملکرد مدار به طور سیستماتیک مورد تحقیق و بررسی قرار می گیرد. به جای احتمال اشغال تله (trap occupancy) در شرایط بایاس دی سی (Pdc) که به طور سنتی برای تعیین مشخصات RTN مورد استفاده قرار می گیرد، احتمال اشغال تله آی سی یعنی درصد مفید زمان تله تحت شرایط بایاس پیشنهاد می گردد و به صورت تحلیلی برای تحقیق و بررسی در زمینه رفتار RTN trapping / detrapping مورد ارزیابی قرار می گیرد. اثرات RTN بر عملکردهای مدار دیجیتال، مثلاً احتمال خرابی سلول های SRAM و جیترهای اوسیلاتور حلقوی در این صورت به کمک شبیه سازی مورد ارزیابی قرار می گیرد و صحت و سقم آن با توجه به پیش بینی هایی که براساس Pac صورت گرفته است تعیین می گردد. نتایج نشان می دهد که موارد نزول عملکرد به شدت وابسته به فشار بار (workload) می باشد، و همچنین نشان می دهد که Pac در ارزیابی دقیق نزول عملکرد ناشی از RTN و متغیر بودن آن نقش بسیار مهمی ایفا می کند. نتایج برای طراحی درست و انعطاف پذیر مدار مفید فایده خواهد بود.

نویسندگان

سینا رستمی

گروه مهندسی برق، دانشکده برق و کامپیوتر، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

علی پورمحمد

حق التدریس، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران

مریم شاهنگیان

گروه مهندسی برق، دانشکده برق و کامپیوتر، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • K. Takeuchi, T. Nagumo, S. Yokogawa, K. Imai, and Y. ...
  • Mulong Luo, Runsheng Wang, Member, IEEE, Shaofeng Guo, Student Member, ...
  • H. Miki et al, (2012), "Voltage and temperature dependence of ...
  • S. Realov and K. L. Shepard, _ (Dec. 2010) "Random ...
  • R. G. Southwick et al..(2012) "Physical model for random telegraph ...
  • J. Chen, Y. Higashi, I. Hirano, and Y. Mitani, (2013) ...
  • J. Franco et al., (2012) "Impact of single charged gate ...
  • M. J. Kirton and M. J. Uren, (1989) "Noise in ...
  • J. Zou et al., (2012) "New insights into AC RTN ...
  • J. Zou et al., (2013) "Deep understanding of AC RTN ...
  • A. P. van der Wel, E. A. M. Klumperink, L. ...
  • J. S. Kolhatkar et al., (2004) "Modeling of RTS noise ...
  • N. Zanolla, D. Siprak, M. Tiebout, P. Baumgartner, E. Sangiorgi, ...
  • A. P. Van der Wel et al., (2007) "Low- frequency ...
  • T. Matsumoto, K. Kobayashi, and H. Onodera, (2012) "Impact of ...
  • K. Ito, T. Matsumoto, S. Nishizawa, H. Sunagawa, K. Kobayashi, ...
  • G. Wirth, D. Vasileska, N. Ashraf, L. Brus amarello, R. ...
  • H. Luo, Y. Wang, Y. Cao, Y. Xie, Y. Ma, ...
  • Q. Tang, X. Wang, J. Keane, and C. H. Kim, ...
  • M.-L. Fan, V. P.-H. Hu, Y.-N. Chen, S. Pin, and ...
  • Y. Ye, C.-C. Wang, and Y. Cao, (2010) "Simulation of ...
  • K. Takeuchi et al., (2010) "Direct observation of RTN-induced SRAM ...
  • K. Aadithya, S. venogopalan, A. Demir, and J. Ro ychowdhury, ...
  • M. Yamaoka et al., (2011) "Evaluation methodology for random telegraph ...
  • S. Karlin and H M. Taylor, (1975), A First Course ...
  • G. I. Wirth, R. da Silva, and B. Kaczer, (2011) ...
  • J.-P. Chiu, Y.-H. Liu, H.-D. Hsieh, C.-W. Li, M.-C. Chen, ...
  • T. Nagumo, K. Takeuchi, T. Hase, and Y. Hayashi, (2010) ...
  • T. Grasser, K. Rott, H. Reisinger, M. Waltl, J. Franco, ...
  • P. Ren et al., (2014) "New insights into the design ...
  • BSIM-CMG Multi-Gate MOSFET Compact Model. [Online]. Available: http://www- device.eecs .berkeley. ...
  • H. Miki et al., (2012) "Statistical measuremet of random telegraph ...
  • نمایش کامل مراجع