طراحی اشمیت تریگر سه ارزشی با استفاده از ترانسیستورهای نانولوله کربنی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 534
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0820
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله، ما نتایج حاصل از تحلیل دقیق و مقایسه دو ساختار جدید ( ایستا و پویا ) گیت اینورتر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFETs) را ارائه کرده ایم. سپس با استفاده از نتایج حاصله دو ساختار اشمیت تریگر غیر معکوس و معکوس کننده مبتنی بر نانولوله کربنی ها (CNTFETs) را پیشنهاد و شبیه سازی و بررسی کرده ایم. سپس به مقایسه بین مدار پیشنهادی با نمونه ی رایج ( طراحی با تکنولوژی Cmos) پرداخته ایم. نتایج شبیه سازی با HSPICE نشان می دهد نمونه پیشنهادی عملکرد بهتری از لحاظ منحنی مشخصه انتقالی، توان مصرفی، تاخیر انتشار و حاصلضرب توان تاخیر نسبت به نمونه ی مشابه دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم یزدان فر
دانشجوی کارشناسی ارشد ، دانشگاه آزاد واحد یزد
یاسر فلاح مهرجردی
دانشجوی کارشناسی ارشد ، دانشگاه آزاد واحد یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :