طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی بهره بالا با استفاده از تکنیک Gain Boosting
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,957
فایل این مقاله در 19 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_1002
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
ایده به کارگیری تقویت کننده های عملیاتی اولین بار در دهه 1940 میلادی و در مدار کامپیوترهای آنالوگ مطرح شد. دراین کاربرد با قراردادن عناصر مختلف بین سرهای ورودی و خروجی تقویت کننده عملیاتی مدارهای مختلف با کارایی های متفاوت طراحی می شد. باگسترش دامنه کاربرد الکترونیک، استفاده از تقویت کننده عملیاتی نیز توسعه فراوان یافته است. تقویت کننده های عملیاتی یکی از کاربردی ترین بلوک های بکار رفته در سیستم های آنالوگ و سیگنال مخلوط می باشند. از کاربردهای سیگنال DC گرفته تا تقویت کننده سرعت بالا و فیلترها مورد استفاده قرار گرفته اند. با توسعه سریع ابزارهای طراحی کامپیوتری، پیشرفت در مدل سازی نیمه رساناها، کوچک سازی اندازه ترانزیستورها و پیشرفت ها در فرایندهای ساخت، بازار مدار مجتمع در حال رشد سریع قرار گرفت. امروزه به دلیل گرایش صنعت به اعمال تکنولوژی های فرایند استاندارد به پیاده سازی مدارات آنالوگ و دیجیتال در یک تراشه، تکنولوژی CMOS در طراحی مدارات آنالوگ در سیستم های سیگنال مخلوط بر تکنولوژی دو قطبی چیره شده است. با کاهش طول کانال ترانزیستور به چند ده نانومتر، بهینه سازی مدارات آنالوگ بسیار مشکل می شود. به دلیل ترارسانایی ذاتی کمتر افزاره های CMOS و همچنین کاهش بهره به دلیل اثرات کانال کوتاه در فرایندهای CMOS زیر میکرون، طرح های افزایش بهره در مراجع و مقالات گزارش شدند. تا بهره را افزایش دهند. این روش های افزایش بهره اغلب ساختارهای مدار یپیچیده ای داشته و ولتاژهای تغذیه بالاتری نیاز دارند و ممکن است که سوئینگ ولتاژ خروجی را محدود کنند. یکی از مشخصات مورد توجه در این تقویت کننده ها مشخصات فرکانسی آنها است، که درکارآیی مدارهای ساخته شده توسط آن بسیار موثر است. هدف این مقاله ارائه ابزارها و روش های طراحی یک تقویتکننده عملیاتی با استفاده از تکنیک Gain Boosting است که در تکنولوژی CMOS ساخته شده و برای رسیدن به بهترین مشخصات فرکانسی بهینه شده است. تقویت کننده عملیاتی افزایش دهنده بهره پس از طراحی با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. بهره بدست آمده برای تکنولوژی 90 نانومتر برابر با 108 دسی بل هزار برابر است، در حالی که در طراحی تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی بدون به کارگیری افزایش دهنده به بهره 77 دسی بل دست یافتیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید رضا حسینی
گروه مهندسی برق ،دانشکده فنی مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر.تهران. ایران
حسین رضا یوسف وند
استادیار و عضو هیئت علمی ، گروه مهندسی برق ،دانشکده فنی مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :