طراحی یک تقویت کننده توان کلاس E با ساختارکاسکود بایاس خودکار در فرکانس مرکزی 1.84GHz با استفاده از تکنولوژی CMOS 0.18um
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 604
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_049
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این تحقیق یک تقویت کننده ی توان غیر خطی کلاس E ارایه می شود. این تقویت کننده با ساختار کاسکود بایاس خودکار در قالب تکنولوژی CMOS 0.18μm برای کاربردهای GSM1800 طراحی و شبیه سازی شده است. تقویت کننده ی توان ارایه شده ، دارای توان خروجی 25.08 dBm با راندمان توان افزوده(PAE) برابر با 44.45% و حداکثر بهره توانی 11.08dB در توان ورودی 14dBm و فرکانس مرکزی 1.84GHz ارایه شده است. در واقع توان در نقطه فشردگی (1 dB) برابر با 24.7 dBm است و اعوجاج هارمونیکی مرتبه سوم چشمگیری برابر با -37.63dB ارایه می کند. روش بایاس ارایه شده که بصورت کاسکود با یک بایاس خودکار جدید می باشد، این ویژگی را دارد که یک پین از چیپ نهایی را کاهش می دهد. با طراحی صحیح قطعات ترانزیستور، طبقه بار را در بهترین نقطه کار می توان بایاس کرد . در این نقطه می توان به حداکثر توان خروجی با حداکثر راندمان دست یافت
نویسندگان
محمدحسین قاری
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
شعبان رضایی برجلو
استاد گروه مهندسی برق الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :