بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 649
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_212
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله، با ارایه یک ساختار کارا برای ترانزیستور مسفت سیلیکن روی عایق (Silicon on insulator metal semiconductor field effect transistor) ولتاژ شکست آن به روش کنترل پتانسیل، بهبود یافته است. در این ساختار یک جعبه با ناخالصی نوع p در داخل کانال ترانزیستور، زیر لبه گیت در سمت درین قرار گرفته که توانسته است توزیع خطوط پتانسیل در این ناحیه را اصلاح کرده و نیز قله میدان الکتریکی را کاهش دهد و به این ترتیب ولتاژ شکست این ساختار نسبت به ساختار پایه (conventional) افزایش پیدا کرده است. ساختار پیشنهادی p-box SOI MESFET نام نهاده شده است. لازم به ذکر است که شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار سیلواکو انجام گرفته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی نادری
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
فاطمه حیرانی
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
عباس رضایی
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :