تمام جمع کننده سه ارزشی مبتنی بر تکنولوژی نانو لوله های کربنی

رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همواره با مزایای دور از انتظاری است که چالش های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داده است. در این مقاله مدار جمع کننده سه سطحی با استفاده از فناوری نانولوله کربنی مرد بررسی قرار گرفته است. طرح مدار با استفاده از شبیه ساز HSPICE و مدل ترانزیستور CNTFET ارایه شده توسط دانشگاه استنفورد در سال 2008 ، شبیه سازی شده و با استفاده از تحلیل گذاری که این شبیه ساز به ما می دهد مقدار توان مصرفی و همچنین تاخیر مدار را در شرایط مختلف بدست آورده شده و نتایج بدست آمده حاکی از ان است که توان مصرفی و تاخیر انتشار مدار و تعداد ترانزیستور ها به طور چشم گیری نسبت به طرح های قبلی کاهش یافته است.

کلیدواژه ها:

نانو لوله کربنی ، تمام جمع کننده ، منطق چند ارزشی ، .CNTFET