بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر جابه جایی آزاد نانوسیالات با فرض عدم تعادل حرارتی در یک استوانه متخلخل آنولی
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 341
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF05_008
تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله، به تحلیل عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابه جایی آزاد نانوسیالات در یک استوانه متخلخل آنولی، با فرض عدم تعادل حرارتی محلی می پردازیم. هدف، تعیین شرایط بهینه از نظر قانون اول ترمودینامیک است. برای این منظور، معادلات بقای جرم، اندازه حرکت، انرژی نانوسیال و ماتریس جامد به شیوه عددی حل می شوند. سپس، جریان سیال و توزیع دمای برای نانوسیال و ماتریس جامد محاسبه شده و مورد تجزیه و تحلیل قرار م یگیرد. علاوه براین، تاثیر کسرحجمی نانوذرات، عدد هارتمن، ضریب انتقال حرارت جابه جایی میان فازی، ضریب رسانش حرارتی اصلاح شده و عدد رایلی نیز مورد ارزیابی قرار می گیرد. کنکاش در نتایج ارائه شده، نشان می دهد که افزایش شدت میدان مغناطیسی موجب کاهش میزان انتقال حرارت می شود. هم چنین مشاهده می شود که افزایش کسرحجمی نانوذرات موجب بهبود نرخ انتقال حرارت خواهد شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد عرفانیان مقدم
کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران
ایمان زحمتکش
استادیار، گروه مهندسی مکانیک، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران