مطالعه عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی جریان نانوسیال در یک میکروکانال

بحث نانوسیال و میدان مغناطیسی روش های بسیار مهمی و با اهمیتی برای افزایش انتقال حرارت می باشند، از طرفی افزایش قیمت انرژی و کاهش میزان انرژی های تجدیدناپذیر، باعث شده است که محققان در صدد یافتن روشی برای بهینه سازی انتقال حرارت باشند. هدف از انجام این تحقیق بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی در میکروکانال حاوی نانوسیال می باشد. نانوسیال در نظر گرفته شده در این پژوهش نانوسیال آلومینا در پایه آب می باشد. انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در یک میکروکانال دو بعدی تحت تاثیر یک میدان مغناطیسی ثابت به صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. اثر میدان مغناطیسی و مانع ایجاد شده در کانال بر ضریب انتقال حرارت جابجایی در درصدهای حجمی، اعداد رینولدز، شارهای حرارتی و شدت میدان مغناطیسی های مختلف مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایج به صورت نمودارهای اعداد ناسلت ارائه شده است. نتایج نشان دادند که افزایش شدت میدان مغناطیسی و کسر حجمی ذرات و ایجاد مانع در میکروکانال باعث افزایش اعداد ناسلت و بهبود انتقال حرارت می شود.

کلیدواژه ها:

میکروکانال ، میدان مغناطیسی ، نانوسیال ، انتقال حرارت جابجایی