بررسی و شبیه سازی کلیدزنی بهره در لیزرهای نیمه هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی

در این مقاله با استفاده از الگوی معادلات نرخ سه سطحی، کلیدزنی بهره نوری در لیزرهای نقطه کوانتومی در سامانه InAs/GaAs مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج پویای کلیدزنی بهره نوری به ازای یک پالس تزریقی جریان با دامنه 10mA در حالت گذرا نشان می دهند، سرعت پاسخ دهی لیزر به شدت متاثر از زمان واهلش الکترون ها از تراز مخزن (Reservoir-state) به تراز برانگیخته (Excited-state) در نقاط کوانتومی می باشد. علاوه بر این نتایج نشان می دهند طول عمر فوتون های داخل کاواک نیز سرعت کلیدزنی بهره نوری را تحت تاثیر قرار می دهند.

کلیدواژه ها:

لیزر نقطه کوانتومی ، کلیدزنی بهره ، معادلات نرخ