ترانزیستور اثر میدان تونلی استوانه ای با ساختار نامتجانس مبتنی بر تونل زنی عمودی

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 441

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EMAA18_026

تاریخ نمایه سازی: 5 اردیبهشت 1399

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدان تونلی )تیفت( عمودی استوانه ای پیشنهاد و ارزیابی شده است. در این افزاره تونل زنی به صورت عمودی اتفاق افتاده و یک لایه spacer برای کنترل بهتر بر روی جریان نشتی و همچنین کنترل جداگانه بر روی جریان نشتی و جریان حالت روشن پیشبینی شده است. در این افزاره جریان درایو قابل توجه و در حدود 10 - 5 A میباشد و نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش (ION/IOFF) در حدود 10 13 میباشد.شیب زیر آستانه در این افزاره به مقدار 7/8 mv/dec میرسد. کلیه شبیه سازی ها توسط نرم افزار TCAD انجام شده است. همچنین اثرات مختلفی همچون تاثیر ضخامت spacer و ضخامت کانال بر روی جریان مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان تونلی ، تونل زنی عمودی ، نسبت جریان روشن به خاموش

نویسندگان

نگین کوچک پور

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان

سعید محمدی

استادیار، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان