مدلسازی تحلیلی جریان درین در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضور حامل های بار متحرک کانال

در این مقاله ،با در نظر گرفتن اثرات حامل های متحرک ومعادله ی پتانسیل دوبعدی ترانزیستور ماسفت دوگیتی رابطه ای برای جریان ماسفت دوگیتی به دست آمده است.رابطه ی جریان به دست آمده برای همه ی شرایط کاری ترانزیستور(زیر آستانه تا تخلیه ) صادق است وبه پتانسیل شبه فرمی وموقعیت کانال یا پتانسیل ماسفت دو گیتی در نقاط خاص مانند سطح یا مرکز بستگی ندارد.

کلیدواژه ها:

آلایش خفیف ، پتانسیل دوبعدی ، جریان درین ، حاملهای بار متحرک ، ماسفت دوگیتی