مدل سازی جریان زیر آستانه ای در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضور حاملهای بار متحرک کانال

در این مقاله ،با در نظر گرفتن اثرات حامل های متحرک ومعادله ی پتانسیل دوبعدی ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن کانال کوتاه رابطه ای تحلیلی برای جریان زیر آستانه ای این نوع ترانزیستور به دست آمده است این رابطه براساس تقریب بولتزمن به دست آمده است.رابطه ی به دست آمده به پتانسیل شبه فرمی وابسته نمی باشد.

کلیدواژه ها:

آلایش خفیف ، پتانسیل دوبعدی ، جریان زیر آستانه ای ، حاملهای بار متحرک ، ماسفت دوگیتی