The influence of bulk donor and acceptor traps on electrical behavior of p+n photodiode based on InSb

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 801

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EOESD01_206

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393

چکیده مقاله:

The influence of bulk donor and acceptor traps on electrical behavior of p+n photodiode based on InSb, is modeled. Theeffects of different trap types with different energy level on the dark current level, recombination rate, and electric field profile at 77Kare investigated. Our results show that the bulk acceptor traps with energy level near valence band significantly increase the darkcurrent and reduce the electric field. We also show that the acceptor traps in bulk increase recombination rate

کلیدواژه ها:

InSb ، donor and acceptor bulk traps recombination rate ، TCAD

نویسندگان

Parinaz Vahdani Moghadam

Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University- South Tehran Branch, Tehran, Iran

Mortaza Fathipour

Department of Electrical & Computer Engineering Faculty of Engineering University of Tehran, Tehran, Iran

Gholamreza Abaeiani

Semiconductor Department, Laser and Optics Research School, Tehran, Iran