طراحی منبع ولتاژ مرجع سیماسی برای استفاده درکاربردهای کم توان

در این مقاله یک مرجع ولتاژ CMOS در تکنولوژی استاندارد m18/0 TSMC طراحی شده است. هدف این مقاله طراحی منبع ولتاژ مرجع کم توانی است که پایداری دمایی بیشتری نسبت به مراجع موجود داشتهباشد. این مدار بدون استفاده از مقاومت تنها با بکارگیری MOSFET که در ناحیه زیرآستانه کار می - کنند؛ طراحی شدهاست. ساختار جدید مرجع ولتاژ ارایهشده بر اساس تکنیک جبران درجه حرارت با عملکرد در ناحیه زیرآستانه عمل میکند. در این مدار دو ترانزیستور MOSFET کانال N که ولتاژ آستانه متفاوتی دارند؛ بهکاررفتهاند. در واقع ولتاژ مرجع خروجی تقریبی از اختلاف ولتاژ آستانه ا ین دو ترانزیستور است. طراحی دقیق ولتاژ آستانه این اجازه را میدهد که مدار با ولتاژ تغدیه 500mV و توان مصرفی 5nW/4 کار - کند. ضریبدمایی ولتاژ خروجی این مدار &ÛآSSP 8/3 است که در محدوده دمایی 100 -0 درجه سانتی- گراد محاسبه شدهاست. تغییرات ولتاژ خروجی نسبت به ولتاژ ورودی در محدوده 5/1 -5/0 ولت برابر 23/0% میباشد. نسبت رد منبع تغذیه 29dB -تا 53dB -است.