مطالعه نظری روی دایک قائم نازک توسط آرایشهای مختلف خطی

در این تحقیق با استفاده از تئوری تصویر به تعیین محل و آشکارسازی محل دایک قائم نازک پرداخته شده و تغییرات جانبی مقاومت ویژه با عملیات پروفیل‏زنی مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج حاصله با استفاده از آرایه‏های ونر، شلومبرژه، نیم شلومبرژه و دوقطبی-دوقطبی مورد بررسی قرار گرفته است.ابتدا برای وضعیت‏های مختلف الکترودها پتانسیل محاسبه شده و سپس برای بدست آوردن مقاومت ویژه ظاهری برنامه‏ای با نرم افزار (MATLAB) تهیه شده و توسط آن تغییرات مقاومت ویژه ظاهری نسبت به فاصله نقطه وسط الکترودهای پتانسیل تا مرکز دایک برای K‏ های (ضرایب بازتاب) مختلف رسم شده است. در نهایت آشکارسازی دایک برای مقاومت ویژه‏های متفاوت با آرایه‏های مختلف مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است