الکترونیک در ابعاد اتمی

مدارها در بخش الکترونیک از ترانزیستورهای NMOS و Pmos به صورت مکمل در کناره هم قرار گرفته اند و به مجموعه ی این مدارها COMS نامیده می شود. در نتیجه امروزه بیشتر مدارها بر روی CMOS ها برقرار است. در نیمه قرن بیستم تحولی عظیم در ادوات الترونیکی ایجاد شد و ترانزیستورها در ساخت مدارات الکترونیکی مجتمع به نیازهای اساسی تبدیل شده است. ساختار نیمه هادی امروزه در بخش مدارهای نیمه رسانا استفاده می شود OFET عملکردن بایان را به عهده دارند و با توجه به اینکه ساختار خازنی در گیت با وارد شدن الکترودهای درین و سورس در مجاورت عایق گیفت و همینطور تشکیل یک کانال هدایت کنترل با ولتاژ گیت می باشد برای این منظور لوله ها با کانال ها در زمینه ی ارتباط ها و سرعت داده ها بیش از اندازه قابل اهمیت می باشد. در اولین نسل از ترانزیستورها می توان گفت با بزرگ بودن مدار پیچیدگی آنها کمتر بود ولی با کوچک شدن آنها پیچیدگی مدارها نیز بیشتر شد. در سال 1895 لایه های اتصالی در بین مدارها بسیار مهم بود ولی با وارد شدن نانو به این عرصه می توان گفت در سال تعداد لایه ها از 0222 عدد به پنج عدد رسید.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، نانو ، نانو لوله های کربنی ، پلاسمونیک ، زاویه کایرال