مدل سازی سلول خورشیدی لایه نازکCIGS با لایهیInGaPاضافی

تامین انرژی الکتریکی از منابع تجدید پذیر امروزه مورد توجه ویژه ای قرارگرفته است . درمیان انرژی های تجدیدپذیر انرژی خورشیدی به عنوانیکیازبزرگترینودر دسترس ترین انرژی هاتلقیمی شود. یکی از روش های استفاده ازانرژی خورشیدی به کارگیری سلول های خورشیدی است.سلولهای خورشیدی ابزار هایی کلیدی هستندکه درتبدیلات انرژی فتوولتایی،انرژی نور رابه انرژی الکتریکی تبدیل میکنند. سلول های خورشیدی لایهنازک به طور وسیعی مورد توجه قرار گرفته اند، زیرا می توانند با هزینه کم ایجاد شده و انرژی بالایی را تولید کنند؛ آنها تولید مؤثر انرژی را تنها بااستفاده از مقدار کم موادی که به وفور یافت می شوند انجام می دهند. سلولهای خورشیدی فیلم نازکCIGS در بین دیگر انواع سلولهای خورشیدی بازده بالاتری دارند. در این مقاله ما سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با لایه جاذب دوگانه را بررسی کرده ایم که یک لایهInGaPبین لایه بافر ولایهCIGSاضافه شده و ساختار رایجZnO/CdS/CIGS/Moتبدیل بهZnO/CdS/InGaP/CIGS/Moشده است . ضخامت و غلظت ناخالصی لایه جاذبInGaPرا برای یافتن پارامتر بحرانی ، تعیین می کنیم

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی لایه نازک ، مدل سازی ، لایهCu (In ، Ga) Se2 ، InGaP