ایجاد پوشش محافظ اکسیدی SiC بر روی کامپوزیت های کربن-کربن

هدف ازاین پژوهش ا یجاد پوشش مقاوم به اکسیداسیون بر رو ی کامپوزیت کربن -کربن در دماها ی بالامی باشد. دراین تحقیق پوشش SiCبه روش سمانتاسیون فشرده برروی کامپوزیت های کربن - کربن اعمال شد. بدین منظور قطعات کامپوزیت در بستر فشرده از مخلوط پودرها ی ( 70Al2O3٪10 ،C٪20 ،Si %در داخل بوته گراف یتی قرار گرفته و سپس در کوره در دما ی1700° و تحت اتمسفر آرگن بمدت 2 ساعت حرارت د یدند. جهت بستن ترک های ایجاد شده رو ی پوشش، نمونه ها در تتراات یل ارتوس یلیکاتTEOS) تحت فشار و خلا غوطه ور شده و تحت عمل یات حرارت ی قرار گرفتند . تص اویر م یکروسکوپ نور ی ب ی انگر ایجادپوششی یکنواخت و پ یوسته در حدودμm150-250بوده و نتا یج آنا لیز فاز ی اشعه ا یکس حضور فازها یα- β-SiC ،SiC و فاز آمورف س یلیکاتی را نشان داد. همچنین بررسی مقاومت به اکس یداسیون نمونه ها ی قرار گرفته در کوره در دما ی1000° در حضو ر اکس یژن بمدت 2 ساعت نشان داد که نمون ه ها ی پوشش یافتهکاهش وزن در حدود 10-7 %وزنی داشته در حالیکه نمونه پوشش نیافته کاملا متلاشی شده بود