ایجاد پوشش دولایه SiC/Mullite بر روی گرافیت به روش سمانتاسیون جعبه ای و پاشش پلاسمایی

پوشش دو لایه محافظ اکسیداسیون بوسیله سمانتاسیون جعبه ای (پوشش اول SiC) و پاشش پلاسمای (پوشش دوم Mullite) با موفقیت بر روی گرافیت ایجاد شد. تشکیل فازهای مختلف با پراش پرتو ایکس مطالعه شد. ریزساختار مورفولوژی توسط میکروسکوپ نوری و الکترونی بررسی شدند. آنالیز XRD نشان داد که در پوشش اول، یک لایه SiC بصورت کامل تشکیل شده که به عنوان یک لایه بافر عمل می کند و پوشش دوم، لایه مولایتی است که از واکنش کائولن و آلومینا بدست آمده است. نتایج آزمایش اکسیداسیون نشان می دهد که اکسیداسیون پوشش دو لایه بصورت قابل توجهی نسبت به پوشش تک لایه و گرافیت خام کاهش داشته است. همچنین با افزایش دما مقاومت به اکسداسیون در همه نمونه ها کاهش می یابد. تصاویر SEM نشان دهنده تشکیل فاز شیشه ای SiO2 بوده که با درز گیری مناسب مانع از اکسیداسیون گرافیت می شود.

کلیدواژه ها:

گرافیت ، مولایت ، SiC ، اکسیداسیون