بررسی تاثیر پیکربندی مجدد مدار با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان مدارهای تمام جمع کنندهمد جریان

در این مقاله، چهار مدار تمام جمع کننده مد جریان ارایه شده با فناوری CMOS با هم مقایسه می شوند. سپس این مدارها باا ترانز یستورهایCNTFET پیکربندی مجدد شده اند. پارامتر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان آنها در نرم افزار HSPICE و با شرایط یکسان، مقایسه و بهبودتقریبی 15 برابری PDP رویت می شود. ضمن آنکه در پیاده سازی با CNTFET نیاز به خازن بار بزرگ نیست که می تواند منجر به بهبود چندده برابری PDP شود.

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده ، مد جریان ، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، ماسفت ، حاصلضرب تاخیر در مصرف توان