طراحی یک سلول جدید حافظه از نوع 7 ترانزیستوری با پارامتر RSNM بهبود یافته، مناسب برای کاربردهای توان پایین
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 262
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICCSE01_136
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1396
چکیده مقاله:
حافظه های SRAM در کاربرد های فراوانی همانند حافظه های کش (Cache) و به طور کلی حافظه های نزدیک به CPU مورد استفاده قرار میگیرند. طراحی این حافظه ها و توجه به پارامترهای مهم و اساسی این حافظه ها به دلیل کاربرد فراوان، بسیار مهم می باشد. سلول 7 ترانزیستوریارایه شده در این مقاله، دارای دو مسیر متفاوت برای عملیات خواندن و نوشتن است که باعث افزایش قابل توجه پارامتر RSNM شده است. این سلول با فضای اشغالی مناسب و در تکنولوژی PTM 65nm CMOS شبیه سازی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازیهای انجام شده در نرم افزار Hspice، پارامتر RSNM در سلول پیشنهادی به اندازه 2.1X نسبت به سلول 7 ترانزیستوری بهبود یافته است. همچنین با انتخاب سایزنامتقارن برای ترانزیستورهای بالاکش و پایین کش و اعمال بایاس بدنه به ترانزیستور دسترسی، پارامتر WM0 به اندازه 1.11X بهبود یافته است. در نهایت مصرف توان استاتیک سلول پیشنهادی به میزان 7.61X نسبت به بهترین سلول 7 ترانزیستوری قبلی کاهش یافته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
افشین فرزانه
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
هومان فرخانی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران