استفاده از ترانزیستورهای نانو کربنی برای کاهش توان مصرفی و تاخیر در تقسیم کننده ها
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 419
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICCSE01_240
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1396
چکیده مقاله:
امروزه نانوکربن ها بخاطر توانایی منحصر به فردشان از جمله ابعاد کوچک، سرعت زیاد و توان مصرفی پایین توجه بسیاری ازدانشمندان را در به استفاده از آنها در طراحی مدارها جلب کرده است. ترانزیستورهای اثر میدانی که با استفاده از نانو لوله های تکبعدی نیمه رسانا ساخته می شوند، در مقایسه با ترانزیستورهای سیلیکونی دارای سرعت و توان مصرفی و PDP بهتر می باشند همینویژگی ها باعث شده است که استفاده از این ترانزیستورها منجر به ارایه مدارهای بهینه تر نسبت به مدارهای نسل گذشته گردد. ازجمله این مدارها می توان به تقسیم کننده ها اشاره کرد که نقش مهمی در طراحی های مدارهای پیچیده تر دارد. در این مقاله مروری برکارهای گذشته در استفاده از این فنآوری در طراحی مدارهای پایه و علی الخصوص تقسیم کننده ها صورت گرفته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهسا اطیار
دانشکده مهندسی کامپیوتر، واحد نجف آباد ، دانشگاه آزاد اسلامی ، نجف آباد ، ایران
محمدرضا رشادی نژاد
دانشکده مهندسی کامپیوتر، واحد نجف آباد ، دانشگاه آزاد اسلامی ، نجف آباد ، ایران
مینا زمین کار
دانشکده مهندسی کامپیوتر ، دانشگاه اشرفی اصفهانی ، اصفهان،ایران