بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی ، بر جریان نشتی گیت و بهبودعملکرد ترانزیستورهایNMOS کانال کوتاه
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 414
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICCSR01_113
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله روشهای کاهش جریان نشتی گیت با استفاده از عا یق و مواد دی الکتریک بصورت متقارن بشکل استک و پشته و همچنین بصورت سطح بندی شده و غیر متقارن بررسی و مقایسه شده است ، استفاده از عایق ترکیبی بصورت سطح بندی و نامتقارن منجر به بهبود عملکرد دیوایس از نظر کاهش جریان نشتی گیت و توان نشتی گردیده است .
نویسندگان
شاپور گل بهارحقیقی
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز و استاد مدعو دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
خداداد خالق پناه
دانشجوی کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق – الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :