Numerical Analysis for Characteristics of QW-HPT/QW-LD Functional Optoelectronic Integrated Device
محل انتشار: یازدهمین کنفرانس مهندسی برق
سال انتشار: 1382
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,481
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE11_141
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1391
چکیده مقاله:
A physical model for the characteristics of a quantum well structure optoelectronic integrated device (QW-OEID) is outlined. The device is made from a vertical integration of quantum well structure heterojunction phototransistor (HPT) over a QW laser diode. Based on the model, static and dynamic characteristics of the device is analyzed numerically. The model derives two different modes of operations for the device: amplification mode for small optical feedback, and switching mode for high feedback.
نویسندگان
M. H. Sheikhi
Dept. of Elect. Eng. , School of Eng., Shiraz Univ., Shiraz, Iran
Vahid Ahmadi
Dept. of Elect. Eng. , Tar biat Modares Univ., Tehran, Iran
M. K. Moravvej-Farshi
Dept. of Elect. Eng. , Tar biat Modares Univ., Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :