A New Distributed Model for Heterojunction Bipolar Transistors(HBTs) for Millimeter-Wave Applications
محل انتشار: دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,922
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE12_149
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1387
چکیده مقاله:
A new distributed model for Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) which considers simultaneously signal and noise behavior of the
device in a wide frequency range is presented.The model is extracted through physical structure scaling and it is tried to include most of the known physical parameters, hence having a rich model to be used for prediction in frequency ranges where measurement is difficult. Unlike some other models that only consider two line electrodes (e.g. base and collector in common emitter configuration), the three electrode effects have been taken into account because at high frequencies, the emitter is not directly grounded. In this paper, the methodology to obtain the distributed model, scaling and slicing criteria and the way to simultaneously analyze the model for
signal and noise is described. Finally for the sake of verification the general model is applied to a specific HBT and the results are compared to measured data.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M.R Chamanzar
Microwave/mm-wave and wireless communications research Lab. ee. Dept. AmirKabir University of Technology
A Abdipour
Microwave/mm-wave and wireless communications research Lab. ee. Dept. AmirKabir University of Technology
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :