بررسی حساسیت بهره آشکارسازهای نوری بهمنی InGaAs/Si نسبت به دما و ولتاژ
محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,238
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE13_013
تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386
چکیده مقاله:
در این مقاله حساسیت بهره نسبت به ولتاژ و دما در آشکارسازهای نوری بهمنی 1InGaAs/Si (APDs) تحلیل، شبیه سازی و روابط حساسیت نیز استخراج شده است. برای ساختن چنینAPD هایی در بازه بزرگی از طول موج، از مرئی تا 1/5μm ، ترکیبی از InGaAs و سیلیکون InGa As به عنوان لایه جاذب وSi به عنوان لایه تکثیر کننده نویز پایین) مطلوب است. آشکارسازهایInGaAs/Si به دلیل داشتن مشخصات جالب (بهره بالا و نویز پایین ) در سیتمهای ارتباطات نوری با نرخ بیت بالا مورد استفاده قرار می گیرند،اماAPD های InGaAs/InP دارای نویز زیادی هستند. این مقاله برتریSi نسبت به InP در حساسیت بهره به ولتاژ اعمالی و دما را نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شهرام محمدنژاد
دانشگاه علم و صنعت ایران _ دانشکده برق آزمایشگاه الکترونیک نوری
مریم پورمحی آبادی
دانشگاه علم و صنعت ایران _ دانشکده برق آزمایشگاه الکترونیک نوری
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :